中文
哪些后处理技术可有效管理低角度晶界缺陷
目录
Fundamental Approach: Mitigation, Not Elimination
Primary Technique: Porosity Elimination and Stress Modification via HIP
Secondary Technique: Microstructural Homogenization Through Heat Treatment
Tertiary Technique: Selective Removal for Surface LAB Defects
Integrated Process and Validation
中文 / zh
标题：
哪些后处理技术可有效管理低角度晶界缺陷
元描述：
通过热等静压（HIP）致密化、均匀化热处理以及选择性 EDM 去除，可有效降低低角度晶界缺陷对高温合金性能的影响。
关键词：
低角度晶界缺陷管理，LAB 缺陷 HIP，均匀化热处理，EDM 缺陷去除，工程关键评估，单晶修复，铸后缺陷缓解
